IRFIZ24E

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IRFIZ24E@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFIZ24E фото 1 IRFIZ24E фото 1
IRFIZ24E фото 2 IRFIZ24E фото 2
IRFIZ24E фото 3 IRFIZ24E фото 3
IRFIZ24E
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFIZ24E
Channel Mode
Enhancement
Technology
HEXFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
60
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
14
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
71@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
20(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
20(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
370@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
29000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220 Full-Pak
Standard Package Name
TO-220
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-09 07:16:05

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IRFIZ24E%40INFIN