IRFI1010N

Купить со склада от 40,50 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFI1010N@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFI1010N фото 1 IRFI1010N фото 1
IRFI1010N фото 2 IRFI1010N фото 2
IRFI1010N фото 3 IRFI1010N фото 3
IRFI1010N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFI1010N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 26A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Package Case
TO-220-3 Full Pack
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95389 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 40.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 8342 шт.

IRFI1010N%40INFIN