IRFG110

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IRFG110@INFIN PDF даташит
IRFG110 фото 1 IRFG110 фото 1
IRFG110 фото 2 IRFG110 фото 2
IRFG110
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFG110
Drain Current (Max)
1 A
Frequency (Max)
Not Required MHz
Gate-Source Voltage (Max)
±20(V)
Output Power (Max)
Not Required W
Power Dissipation
1.4(W)
Mounting
Through Hole
Noise Figure
Not Required dB
Drain-Source On-Res
0.8(ohm)
Operating Temp Range
-55C to 150C
Package Type
MO-036AB
Pin Count
14
Polarity
N
Type
Power MOSFET
Number of Elements
4
Operating Temperature Classification
Military
Channel Mode
Enhancement
Drain Efficiency
Not Required %
Drain-Source On-Volt
100(V)
Power Gain
Not Required dB
Rad Hardened
No
Continuous Drain Current
1(A)
обновлено 2017-07-23 07:30:55

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IRFG110%40INFIN