IRFD9110
Купить со склада от 87,00 рубТранзистор: МОП р-канальный; полевой; -100В; -700мА; 1,3Вт; DIP4
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0.624 грамм
Анализ рынка IRFD9110@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
28
от 28
166,00 p
Склад
26
923
от 500
168,00 p
Склад
34
461
от 100
87,00 p
Склад
Склад
Склад
34
200
от 100
105,00 p
Технические характеристики IRFD9110
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Vishay
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
HVMDIP-4
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 100 V
Id - Continuous Drain Current
700 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
1.2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Vishay Semiconductors
Configuration
Single Dual Drain
Fall Time
27 ns
Height
3.37 mm
Length
5 mm
Pd - Power Dissipation
1.3 W
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
27 ns
Factory Pack Quantity
2500
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
15 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
6.29 mm
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95360
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 87.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 1640 шт.
IRFD9110%40VISHAY