IRFBG30

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF IRFBG30@VISHAY PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRFBG30 фото 1 IRFBG30 фото 1
IRFBG30 фото 2 IRFBG30 фото 2
IRFBG30 фото 3 IRFBG30 фото 3
IRFBG30
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFBG30
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Vishay
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1000 V
Id - Continuous Drain Current
3.1 A
Rds On - Drain-Source Resistance
5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Vishay Semiconductors
Configuration
Single
Fall Time
20 ns
Height
9.01 mm
Length
10.41 mm
Pd - Power Dissipation
125 W
Rise Time
25 ns
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
89 ns
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
Width
4.7 mm
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95299 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 124424 шт.

IRFBG30%40VISHAY