IRFBG30

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF IRFBG30@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFBG30 фото 1 IRFBG30 фото 1
IRFBG30 фото 2 IRFBG30 фото 2
IRFBG30 фото 3 IRFBG30 фото 3
IRFBG30
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFBG30
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95299 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 158334 шт.

IRFBG30%40VISHAY