IRFBE20
Купить со склада от 64,60 рубТранзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1,8А, Idm: 7,2А, 54Вт, TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3 грамм
Анализ рынка IRFBE20@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
50
от 10
378,00 p
Склад
26
1756
от 1000
143,00 p
Склад
28
19675
от 10000
193,00 p
Склад
30
1000
от 1000
155,00 p
Склад
5
10
от 10
119,00 p
Склад
4
80
от 50
64,60 p
Технические характеристики IRFBE20
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
54W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 17-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95292
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 64.60RUB руб. Купить
Доступное количество: 25830 шт.
IRFBE20%40VISHAY