IRFBA1405P

Купить со склада от 465,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 55В; 174А; 330Вт; SUPER220

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFBA1405P

Анализ рынка IRFBA1405P@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
3
35
от 20
501,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRFBA1405P

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
174A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5480pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
SUPER-220в„ў (TO-273AA)
Package Case
Super-220в„ў-3 (Straight Leads)
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95274 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 465.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 70 шт.

IRFBA1405P%40INFIN