IRFB9N65A

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF IRFB9N65A@VISHAY PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRFB9N65A фото 1 IRFB9N65A фото 1
IRFB9N65A фото 2 IRFB9N65A фото 2
IRFB9N65A фото 3 IRFB9N65A фото 3
IRFB9N65A
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB9N65A
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Vishay
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650 V
Id - Continuous Drain Current
8.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance
930 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Vishay Semiconductors
Configuration
Single
Fall Time
18 ns
Height
9.01 mm
Length
10.41 mm
Pd - Power Dissipation
167 W
Rise Time
20 ns
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
34 ns
Typical Turn-On Delay Time
14 ns
Width
4.7 mm
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95271 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 10025 шт.

IRFB9N65A%40VISHAY