IRFB9N60A

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF IRFB9N60A@VISHAY PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRFB9N60A фото 1 IRFB9N60A фото 1
IRFB9N60A фото 2 IRFB9N60A фото 2
IRFB9N60A фото 3 IRFB9N60A фото 3
IRFB9N60A
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB9N60A
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Forward Diode Voltage
1.5 V
Forward Transconductance
5.5 S
Height
15.49 mm
Length
10.51 mm
Maximum Continuous Drain Current
9.2 A
Maximum Drain Source Resistance
0.75 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
170 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 49 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1400 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
13 ns
Typical TurnOff Delay Time
30 ns
Width
4.65 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95270 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 25651 шт.

IRFB9N60A%40VISHAY