IRFB61N15D

Купить со склада от 63,70 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB61N15D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFB61N15D фото 1 IRFB61N15D фото 1
IRFB61N15D фото 2 IRFB61N15D фото 2
IRFB61N15D фото 3 IRFB61N15D фото 3
IRFB61N15D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB61N15D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
3470 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
60 A
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Gate Charge, Total
95 nC
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
330 W
Resistance, Drain to Source On
0.032 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case
0.45 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
28 ns
Time, Turn-On Delay
18 ns
Transconductance, Forward
22 sec
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
150 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
150 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
± 16 V
Width
4.69 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95268 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 63.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 37430 шт.

IRFB61N15D%40INFIN