IRFB59N10D

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB59N10D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFB59N10D фото 1 IRFB59N10D фото 1
IRFB59N10D фото 2 IRFB59N10D фото 2
IRFB59N10D фото 3 IRFB59N10D фото 3
IRFB59N10D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB59N10D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Design Resources
IRFB59N10DPBF Saber ModelIRFB59N10DPBF Spice Model
PCN Packaging
Package Drawing Update 19Aug2015
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
114nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
2450pF @ 25V
Power - Max
3.8W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Online Catalog
N-Channel Standard FETs
Other Names
*IRFB59N10DPBF
обновлено 2017-07-27 11:00:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95267 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 30696 шт.

IRFB59N10D%40INFIN