IRFB4710

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4710@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB4710 фото 1 IRFB4710 фото 1
IRFB4710 фото 2 IRFB4710 фото 2
IRFB4710 фото 3 IRFB4710 фото 3
IRFB4710
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB4710
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6160pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 45A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95265 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 4777 шт.

IRFB4710%40INFIN