IRFB4710

Купить со склада от 52,50 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB4710@INFIN PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRFB4710 фото 1 IRFB4710 фото 1
IRFB4710 фото 2 IRFB4710 фото 2
IRFB4710 фото 3 IRFB4710 фото 3
IRFB4710
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB4710
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Configuration
Single
Current, Drain
75 A
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Gate Charge, Total
110 nC
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
200 W
Resistance, Drain to Source On
0.014 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Time, Turn-Off Delay
41 ns
Time, Turn-On Delay
35 ns
Transconductance, Forward
35 S
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95265 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 52.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 9018 шт.

IRFB4710%40INFIN