IRFB38N20D

Купить со склада от 53,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB38N20D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB38N20D фото 1 IRFB38N20D фото 1
IRFB38N20D фото 2 IRFB38N20D фото 2
IRFB38N20D фото 3 IRFB38N20D фото 3
IRFB38N20D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB38N20D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HEXFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
200
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?30
Maximum Continuous Drain Current - (A)
38
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
54@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
60@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
60
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
2900@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
3800
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220AB
Package Family Name
TO-220
Standard Package Name
TO-220
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95262 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 53.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 7579 шт.

IRFB38N20D%40INFIN