IRFB33N15D

Купить со склада от 51,20 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB33N15D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFB33N15D фото 1 IRFB33N15D фото 1
IRFB33N15D фото 2 IRFB33N15D фото 2
IRFB33N15D фото 3 IRFB33N15D фото 3
IRFB33N15D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB33N15D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
International Rectifier
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
33 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150 V
Rds On - Drain-Source Resistance
56 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5.5 V
Qg - Gate Charge
60 nC
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
3.8 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Packaging
Tube
Brand
International Rectifier
Channel Mode
Enhancement
Ciss - Input Capacitance
2.02 nF
Configuration
Single
Fall Time
21 ns
Forward Transconductance - Min
14 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
38 ns
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
23 ns
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95261 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 51.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 15590 шт.

IRFB33N15D%40INFIN