IRFB31N20D

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB31N20D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB31N20D фото 1 IRFB31N20D фото 1
IRFB31N20D фото 2 IRFB31N20D фото 2
IRFB31N20D фото 3 IRFB31N20D фото 3
IRFB31N20D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB31N20D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
10.54 x 4.69 x 8.77 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
17 S
Height
8.77 mm
Length
10.54 mm
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Resistance
0.082 Ω
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2370 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
16 ns
Typical TurnOff Delay Time
26 ns
Width
4.69 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95260 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 40382 шт.

IRFB31N20D%40INFIN