IRFB260N

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB260N@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB260N фото 1 IRFB260N фото 1
IRFB260N фото 2 IRFB260N фото 2
IRFB260N фото 3 IRFB260N фото 3
IRFB260N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB260N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
4220 pF &&64; 25 V
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
56 A
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Gate Charge, Total
150 nC
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
380 W
Resistance, Drain to Source On
0.04 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case
0.4 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
52 ns
Time, Turn-On Delay
17 ns
Transconductance, Forward
29 S
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
200 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
200 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
± 20 V
Width
4.69 mm
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95259 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 24495 шт.

IRFB260N%40INFIN