IRFB23N20D

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB23N20D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB23N20D фото 1 IRFB23N20D фото 1
IRFB23N20D фото 2 IRFB23N20D фото 2
IRFB23N20D фото 3 IRFB23N20D фото 3
IRFB23N20D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB23N20D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET Series
Capacitance, Input
1960 pF @ 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
24 A
Dimensions
10.54 x 4.69 x 8.77 mm
Gate Charge, Total
57 nC
Height
8.77 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
170 W
Resistance, Drain to Source On
0.1 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case
0.9 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
26 ns
Time, Turn-On Delay
14 ns
Transconductance, Forward
13 S
Typical Gate Charge @ Vgs
57 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
200 V
Voltage, Drain to Source
200 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
&&177;30 V
Width
0.185" (4.69mm)
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95258 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 15158 шт.

IRFB23N20D%40INFIN