IRFB23N15D

Купить со склада от 91,20 руб

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 150В, 23А, 3,8Вт, TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.8571 грамм
IRFB23N15D

Анализ рынка IRFB23N15D@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
1062
от 1000
96,60 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
1-2
1062
от 1000
96,60 p

Технические характеристики IRFB23N15D

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
150
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??30
Maximum Continuous Drain Current - (A)
23
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
90@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
37@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
37
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
1200@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
3800
Operating Temperature - (??C)
-55~175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220AB
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Automotive
No
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95257 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 91.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 2233 шт.

IRFB23N15D%40INFIN