IRFB23N15D

Купить со склада от 45,10 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB23N15D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFB23N15D фото 1 IRFB23N15D фото 1
IRFB23N15D фото 2 IRFB23N15D фото 2
IRFB23N15D фото 3 IRFB23N15D фото 3
IRFB23N15D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB23N15D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
1200 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
23 A
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Gate Charge, Total
37 nC
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
136 W
Resistance, Drain to Source On
0.09 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case
1.1 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
18 ns
Time, Turn-On Delay
10 ns
Transconductance, Forward
11 sec
Typical Gate Charge @ Vgs
37 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
150 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
150 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±30 V
Width
4.69 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95257 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 45.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 3663 шт.

IRFB23N15D%40INFIN