IRF9Z34NS

Купить со склада от 20,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF9Z34NS@INFIN PDF даташит
Масса товара:
2 грамм
IRF9Z34NS фото 1 IRF9Z34NS фото 1
IRF9Z34NS фото 2 IRF9Z34NS фото 2
IRF9Z34NS фото 3 IRF9Z34NS фото 3
IRF9Z34NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF9Z34NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HEXFET
Channel Type
P
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
55
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
19
Material
Si
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
4
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
100@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
35(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
35(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
620@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
3800
Operating Temperature - (?C)
-55~175
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Supplier Package
D2PAK
Standard Package Name
TO-263
Life Cycle
Obsolete
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95248 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 20.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 50466 шт.

IRF9Z34NS%40INFIN