IRF9Z34NS

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF9Z34NS@INFIN PDF даташит
Масса товара:
2 грамм
IRF9Z34NS фото 1 IRF9Z34NS фото 1
IRF9Z34NS фото 2 IRF9Z34NS фото 2
IRF9Z34NS фото 3 IRF9Z34NS фото 3
IRF9Z34NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF9Z34NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 10A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95248 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 132315 шт.

IRF9Z34NS%40INFIN