IRF9Z34NS
Купить со склада от 57,30 рубТранзистор: P-MOSFET; полевой; HEXFET; -55В; -19А; 68Вт; D2PAK
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
1.7667 грамм
Анализ рынка IRF9Z34NS@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
11
от 11
122,00 p
Склад
1-2
300
от 300
57,30 p
Склад
1-2
3801
от 1000
68,20 p
Склад
30
144000
от 10000
97,50 p
Склад
34
7066
от 800
73,60 p
Склад
3
21
от 10
98,30 p
Технические характеристики IRF9Z34NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95248
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 57.30RUB руб. Купить
Доступное количество: 166871 шт.
IRF9Z34NS%40INFIN