Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
IRF9Z24N
Купить со склада от 25,50 рубТранзистор: P-MOSFET; полевой; HEXFET; -55В; -12А; 45Вт; TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
2.715 грамм
Анализ рынка IRF9Z24N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
1575
от 1000
53,40 p
Склад
27
4113
от 1000
55,20 p
Склад
27
2538
от 2000
51,70 p
Склад
26
4557
от 2000
60,30 p
Склад
1-2
1000
от 1000
37,80 p
Склад
1-2
375
от 250
27,40 p
Технические характеристики IRF9Z24N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 55 V
Id - Continuous Drain Current
- 12 A
Rds On - Drain-Source Resistance
175 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 4 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
12.7 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Packaging
Tube
Brand
Infineon IR
Fall Time
37 ns
Forward Transconductance - Min
2.5 S
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
45 W
Rise Time
55 ns
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
23 ns
Typical Turn-On Delay Time
13 ns
Width
4.4 mm
Part # Aliases
SP001555934
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95241
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 25.50RUB руб. Купить
Доступное количество: 77843 шт.
IRF9Z24N%40INFIN