IRF9Z14S

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF IRF9Z14S@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF9Z14S фото 1 IRF9Z14S фото 1
IRF9Z14S фото 2 IRF9Z14S фото 2
IRF9Z14S фото 3 IRF9Z14S фото 3
IRF9Z14S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF9Z14S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Dimensions
10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Forward Diode Voltage
-5.5 V
Forward Transconductance
1.4 S
Height
15.49 mm
Length
10.51 mm
Maximum Continuous Drain Current
-6.7 A
Maximum Drain Source Resistance
0.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
43 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 12 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
270 pF &&64; -25 V
Typical Turn On Delay Time
11 ns
Typical TurnOff Delay Time
10 ns
Width
4.65 mm
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95238 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 5389 шт.

IRF9Z14S%40VISHAY