IRF9130

Купить со склада от 308,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF9130@INFIN PDF даташит
IRF9130 фото 1 IRF9130 фото 1
IRF9130 фото 2 IRF9130 фото 2
IRF9130 фото 3 IRF9130 фото 3
IRF9130
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF9130
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
100
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
11
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
350@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
29(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
29(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
860@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
75000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-3
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95204 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 308.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 8936 шт.

IRF9130%40INFIN