IRF830S

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF IRF830S@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF830S фото 1 IRF830S фото 1
IRF830S фото 2 IRF830S фото 2
IRF830S фото 3 IRF830S фото 3
IRF830S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF830S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
1.6 V
Forward Transconductance
2.5 S
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
74 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 38 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
610 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
8.2 ns
Typical TurnOff Delay Time
42 ns
Width
9.65 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95190 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 14111 шт.

IRF830S%40VISHAY