IRF7832

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7832@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF7832 фото 1 IRF7832 фото 1
IRF7832 фото 2 IRF7832 фото 2
IRF7832 фото 3 IRF7832 фото 3
IRF7832
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7832
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
4310 pF &&64; 15 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Quad Drain, Triple Source
Current, Drain
20 A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total
34 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
8
Package Type
SO-8
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
2.5 W
Resistance, Drain to Source On
4.8 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+155 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +155 °C
Time, Turn-Off Delay
21 ns
Time, Turn-On Delay
12 ns
Transconductance, Forward
77 S
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC &&64; 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
30 V
Voltage, Diode Forward
1 V
Voltage, Drain to Source
30 V
Voltage, Forward, Diode
1 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95174 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 61522 шт.

IRF7832%40INFIN