IRF7821

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7821@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7821 фото 1 IRF7821 фото 1
IRF7821 фото 2 IRF7821 фото 2
IRF7821 фото 3 IRF7821 фото 3
IRF7821
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7821
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Quad Drain, Triple Source
Current, Drain
13.6 A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
1 V
Forward Transconductance
22 S
Gate Charge, Total
9.3 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
13.6 A
Maximum Drain Source Resistance
12.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
2.5 W
Resistance, Drain to Source On
7 Milliohms
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Time, Turn-Off Delay
9.7 ns
Time, Turn-On Delay
6.3 ns
Transconductance, Forward
22 S
Typical Gate Charge @ Vgs
9.3 nC &&64; 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1010 pF &&64; 15 V
Typical Turn On Delay Time
6.3 ns
Typical TurnOff Delay Time
9.7 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source
30 V
Voltage, Forward, Diode
1 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4 mm
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95172 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 155636 шт.

IRF7821%40INFIN