IRF7807VD2

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IRF7807VD2@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7807VD2 фото 1 IRF7807VD2 фото 1
IRF7807VD2 фото 2 IRF7807VD2 фото 2
IRF7807VD2 фото 3 IRF7807VD2 фото 3
IRF7807VD2
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7807VD2
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
30
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
1(Min)
Maximum Continuous Drain Current - (A)
8.3
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
25@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
9.5@4.5V
Maximum Power Dissipation - (mW)
2500
Operating Temperature - (?C)
-55~150
Pin Count
8
Supplier Package
SOIC
Standard Package Name
SOP
Packaging
Tape and Reel
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-09 07:16:05

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IRF7807VD2%40INFIN