IRF7751

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IRF7751@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7751 фото 1 IRF7751 фото 1
IRF7751 фото 2 IRF7751 фото 2
IRF7751 фото 3 IRF7751 фото 3
IRF7751
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7751
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HEXFET
Channel Type
P
Number of Elements per Chip
2
Maximum Drain Source Voltage - (V)
30
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
4.5
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
35@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
29@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
29
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
1464@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
1000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Supplier Package
TSSOP
Standard Package Name
SOP
Life Cycle
Obsolete
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-23 07:30:55

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IRF7751%40INFIN