IRF7530

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7530@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7530 фото 1 IRF7530 фото 1
IRF7530 фото 2 IRF7530 фото 2
IRF7530 фото 3 IRF7530 фото 3
IRF7530
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7530
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Source, Quad Drain
Dimensions
3.05 x 3.05 x 0.91 mm
Forward Diode Voltage
1.2 V
Forward Transconductance
13 S
Height
0.91 mm
Length
3.05 mm
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
Micro8
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC &&64; 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1310 pF &&64; 15 V
Typical Turn On Delay Time
8.5 ns
Typical TurnOff Delay Time
36 ns
Width
3.05 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95140 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 330729 шт.

IRF7530%40INFIN