IRF7503

Купить со склада от 11,20 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7503@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRF7503 фото 1 IRF7503 фото 1
IRF7503 фото 2 IRF7503 фото 2
IRF7503 фото 3 IRF7503 фото 3
IRF7503
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7503
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Source, Quad Drain
Current, Drain
2.4 A
Dimensions
3.05 x 3.05 x 0.91 mm
Forward Diode Voltage
1.2 V
Forward Transconductance
1.9 S
Gate Charge, Total
7.8 nC
Height
0.91 mm
Length
3.05 mm
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Resistance
0.222 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
Micro8
Pin Count
8
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
1.25 W
Resistance, Drain to Source On
0.135 Ohms
Temperature, Operating
-55 to 150 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
100 °CW
Time, Turn-Off Delay
12 ns
Time, Turn-On Delay
4.7 ns
Transconductance, Forward
1.9 S
Type
Dual Power
Typical Gate Charge @ Vgs
7.8 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
210 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
4.7 ns
Typical TurnOff Delay Time
12 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source
30 V
Voltage, Forward, Diode
1.2 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
3.05 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95129 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 11.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 132273 шт.

IRF7503%40INFIN