IRF7463

Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 13А, 2,5Вт, SO8

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IRF7463

Анализ рынка IRF7463@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRF7463

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SO-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
14 A
Rds On - Drain-Source Resistance
10.5 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Vgs - Gate-Source Voltage
12 V
Qg - Gate Charge
34 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Packaging
Reel
Packaging
MouseReel
Packaging
Cut Tape
Brand
Infineon IR
Fall Time
6.5 ns
Forward Transconductance - Min
41 S
Height
1.75 mm
Length
4.9 mm
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Rise Time
138 ns
Factory Pack Quantity
4000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
28 ns
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
Width
3.9 mm
Unit Weight
0.017870 oz
обновлено 24-03-2024
IRF7463%40INFIN