IRF7425

Купить со склада от 23,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7425@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF7425 фото 1 IRF7425 фото 1
IRF7425 фото 2 IRF7425 фото 2
IRF7425 фото 3 IRF7425 фото 3
IRF7425
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7425
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Quad Drain, Triple Source
Current, Drain
-15 A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
-1.2 V
Forward Transconductance
44 S
Gate Charge, Total
87 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
-15 A
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
-20 V
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Polarization
P-Channel
Power Dissipation
2.5 W
Resistance, Drain to Source On
0.082 Ohm
Resistance, Thermal, Junction to Case
50 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Time, Turn-Off Delay
230 ns
Time, Turn-On Delay
13 ns
Transconductance, Forward
44 S
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC &&64; -4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
7980 pF &&64; -15 V
Typical Turn On Delay Time
13 ns
Typical TurnOff Delay Time
230 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source
-20 V
Voltage, Drain to Source
-20 V
Voltage, Forward, Diode
-1.2 V
Voltage, Gate to Source
±12 V
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95101 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 23.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 471883 шт.

IRF7425%40INFIN