IRF7389

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7389@INFIN PDF даташит
Аналоги товара:
IRF7389 фото 1 IRF7389 фото 1
IRF7389 фото 2 IRF7389 фото 2
IRF7389 фото 3 IRF7389 фото 3
IRF7389
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7389
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N, P
Configuration
Dual Drain
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
-1 (P), 1 (N) V
Forward Transconductance
14 (N), 7.7 (P) S
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
-5.3 (P), 7.3 (N) A
Maximum Drain Source Resistance
0.046 (N), 0.098 (P) Ω
Maximum Drain Source Voltage
-30 (P), 30 (N) V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC &&64; 10 V (N), 23 nC &&64; -10 V (P)
Typical Input Capacitance @ Vds
650 pF &&64; 25 V (N), 710 pF &&64; -25 V (P)
Typical Turn On Delay Time
13 (P), 8.1 (N) ns
Typical TurnOff Delay Time
26 (N), 34 (P) ns
Width
4 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95079 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 120543 шт.

IRF7389%40INFIN