IRF7343

Купить со склада от 15,50 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7343@INFIN PDF даташит
Масса товара:
1 грамм
IRF7343 фото 1 IRF7343 фото 1
IRF7343 фото 2 IRF7343 фото 2
IRF7343 фото 3 IRF7343 фото 3
IRF7343
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7343
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
690 pF &&64; -25 V (P), 740 pF &&64; 25 V (N)
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N, P
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
-3.4 (P), 4.7 (N) A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total
2426 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Number of Pins
8
Package Type
SO-8
Polarization
N-Channel and P-Channel
Power Dissipation
2 W
Resistance, Drain to Source On
0.065 (N), 0.170 (P) Ω
Temperature, Operating
-55 to 150 °C
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5 °CW
Time, Turn-Off Delay
32 (N), 43 (P) ns
Time, Turn-On Delay
14 (P), 8.3 (N) ns
Transconductance, Forward
3.3 (P), 7.9 (N) S
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC &&64; 10 V (N), 26 nC &&64; -10 V (P)
Voltage, Breakdown, Drain to Source
55-55 V
Voltage, Diode Forward
-1.2 (P), 1.2 (N) V
Voltage, Drain to Source
-55 (P), 55 (N) V
Voltage, Forward, Diode
0.7-0.8 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95072 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 15.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 140538 шт.

IRF7343%40INFIN