IRF7341

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7341@INFIN PDF даташит
Аналоги товара:
IRF7341 фото 1 IRF7341 фото 1
IRF7341 фото 2 IRF7341 фото 2
IRF7341 фото 3 IRF7341 фото 3
IRF7341
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7341
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HEXFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
2
Maximum Drain Source Voltage - (V)
55
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
4.7
Material
Si
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
1(Min)
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
50@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
24@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
24
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
740@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
2000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Typical Output Capacitance - (pF)
190
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Supplier Package
SOIC
Package Family Name
SOP
Standard Package Name
SOP
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95069 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2337559 шт.

IRF7341%40INFIN