IRF7307

Купить со склада от 15,30 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7307@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF7307 фото 1 IRF7307 фото 1
IRF7307 фото 2 IRF7307 фото 2
IRF7307 фото 3 IRF7307 фото 3
IRF7307
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7307
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N, P
Configuration
Dual Drain
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
-1 (P), 1 (N) V
Forward Transconductance
4 (P), 8.3 (N) S
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
-4.3 (P), 5.2 (N) A
Maximum Drain Source Resistance
0.070 (N), 0.140 (P) Ω
Maximum Drain Source Voltage
-20 (P), 20 (N) V
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 20 nC &&64; 4.5 V (N), Maximum of 22 nC &&64; -4.5 V (P)
Typical Input Capacitance @ Vds
610 pF &&64; -15 V (P), 660 pF &&64; 15 V (N)
Typical Turn On Delay Time
8.4 (P), 9 (N) ns
Typical TurnOff Delay Time
32 (N), 51 (P) ns
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95046 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 15.30RUB руб. Купить

Доступное количество: 224575 шт.

IRF7307%40INFIN