IRF7303

Купить со склада от 13,60 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7303@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF7303 фото 1 IRF7303 фото 1
IRF7303 фото 2 IRF7303 фото 2
IRF7303 фото 3 IRF7303 фото 3
IRF7303
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7303
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
1 V
Forward Transconductance
5.2 S
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
4.9 A
Maximum Drain Source Resistance
0.08 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 25 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
520 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
6.8 ns
Typical TurnOff Delay Time
22 ns
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95041 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 13.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 113768 шт.

IRF7303%40INFIN