IRF7104

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7104@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7104 фото 1 IRF7104 фото 1
IRF7104 фото 2 IRF7104 фото 2
IRF7104 фото 3 IRF7104 фото 3
IRF7104
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7104
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Dual Source, Quad Drain
Current, Drain
-2.3 A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
-1.2 V
Forward Transconductance
2.5 S
Gate Charge, Total
9.3 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
-2.3 A
Maximum Drain Source Resistance
0.4 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-20 V
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Polarization
Dual P-Channel
Power Dissipation
2 W
Resistance, Drain to Source On
0.4 Ohm
Resistance, Thermal, Junction to Case
62.5 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Time, Turn-Off Delay
42 ns
Time, Turn-On Delay
12 ns
Transconductance, Forward
2.5 S
Typical Gate Charge @ Vgs
9.3 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
290 pF &&64; -15 V
Typical Turn On Delay Time
12 ns
Typical TurnOff Delay Time
42 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source
-20 V
Voltage, Drain to Source
-20 V
Voltage, Forward, Diode
-1.2 V
Voltage, Gate to Source
±12 V
Width
4 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95022 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 129994 шт.

IRF7104%40INFIN