IRF7103

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7103@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF7103 фото 1 IRF7103 фото 1
IRF7103 фото 2 IRF7103 фото 2
IRF7103 фото 3 IRF7103 фото 3
IRF7103
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7103
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
255 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
3 A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total
10 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Number of Pins
8
Package Type
SO-8
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
2.4 W
Resistance, Drain to Source On
200 mΩ
Temperature, Operating
-55 to 150 °C
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
50 °CW
Time, Turn-Off Delay
15 ns
Time, Turn-On Delay
5.1 ns
Transconductance, Forward
3.4 S
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
50 V
Voltage, Diode Forward
1.2 V
Voltage, Drain to Source
50 V
Voltage, Forward, Diode
1.2 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95020 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1519594 шт.

IRF7103%40INFIN