IRF7101

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7101@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRF7101 фото 1 IRF7101 фото 1
IRF7101 фото 2 IRF7101 фото 2
IRF7101 фото 3 IRF7101 фото 3
IRF7101
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7101
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
320 pF &&64; 15V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Source, Quad Drain
Current, Drain
3.5 A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total
15 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Number of Pins
8
Package Type
SO-8
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
2 W
Resistance, Drain to Source On
0.15 Ω
Temperature, Operating
-55 to 150 °C
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5 °CW
Time, Turn-Off Delay
24 ns
Time, Turn-On Delay
7 ns
Transconductance, Forward
1.1 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 15 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
20 V
Voltage, Diode Forward
1.2 V
Voltage, Drain to Source
20 V
Voltage, Forward, Diode
1.2 V
Voltage, Gate to Source
±12 V
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95019 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 37096 шт.

IRF7101%40INFIN