IRF640NS

Купить со склада от 0,00 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF640NS@INFIN PDF даташит
IRF640NS фото 1 IRF640NS фото 1
IRF640NS фото 2 IRF640NS фото 2
IRF640NS фото 3 IRF640NS фото 3
IRF640NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF640NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
18 A
Rds On - Drain-Source Resistance
150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
44.7 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
5.5 ns
Forward Transconductance - Min
6.8 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
150 W
Rise Time
19 ns
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
23 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.070548 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95012 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 259688 шт.

IRF640NS%40INFIN