IRF640N
Купить со склада от 38,30 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
2.71 грамм
Анализ рынка IRF640N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
27045
от 25000
96,80 p
Склад
27
27385
от 10000
92,70 p
Склад
29
37652
от 10000
94,80 p
Склад
26
61810
от 10000
86,70 p
Склад
30
68960
от 10000
126,00 p
Склад
1-2
12939
от 10000
40,50 p
Технические характеристики IRF640N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
18 A
Rds On - Drain-Source Resistance
150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
44.7 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
5.5 ns
Forward Transconductance - Min
6.8 S
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
150 W
Rise Time
19 ns
Factory Pack Quantity
1150
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
23 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
4.4 mm
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95011
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 38.30RUB руб. Купить
Доступное количество: 624536 шт.
IRF640N%40INFIN