Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
IRF630N
Купить со склада от 30,70 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3.0515 грамм
Анализ рынка IRF630N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
58481
от 10000
89,20 p
Склад
26
7997
от 5000
87,50 p
Склад
5
152
от 100
64,40 p
Склад
1-2
1200
от 1000
31,30 p
Склад
1-2
4629
от 1000
32,60 p
Склад
1-2
4629
от 1000
32,60 p
Технические характеристики IRF630N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
9.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance
300 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
23.3 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
15 ns
Forward Transconductance - Min
4.9 S
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
82 W
Rise Time
14 ns
Factory Pack Quantity
1350
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
27 ns
Typical Turn-On Delay Time
7.9 ns
Width
4.4 mm
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95001
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 30.70RUB руб. Купить
Доступное количество: 96719 шт.
IRF630N%40INFIN