IRF540N
Купить со склада от 34,80 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3 грамм
Анализ рынка IRF540N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
55388
от 10000
106,00 p
Склад
29
335591
от 10000
107,00 p
Склад
26
145195
от 10000
98,50 p
Склад
5
64
от 10
94,00 p
Склад
1-2
8100
от 1000
69,40 p
Склад
23
50661
от 10000
34,80 p
Технические характеристики IRF540N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1960pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
130W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 17-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
94961
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 34.80RUB руб. Купить
Доступное количество: 1458039 шт.
IRF540N%40INFIN