IRF530N

Купить со склада от 13,70 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF530N@INFIN PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRF530N фото 1 IRF530N фото 1
IRF530N фото 2 IRF530N фото 2
IRF530N фото 3 IRF530N фото 3
IRF530N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF530N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
12 S
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
70 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 37 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
920 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
9.2 ns
Typical TurnOff Delay Time
35 ns
Width
4.69 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94955 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 13.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 77560 шт.

IRF530N%40INFIN