IRF5305
Купить со склада от 37,40 рубТранзистор: P-MOSFET; полевой; HEXFET; -55В; -31А; 110Вт; TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
2.7544 грамм
Анализ рынка IRF5305@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
657
от 100
95,50 p
Склад
1-2
37
от 15
80,80 p
Склад
1-2
2600
от 1000
46,40 p
Склад
1-2
2010
от 800
43,10 p
Склад
4
490
от 100
42,60 p
Склад
8
490
от 295
49,00 p
Технические характеристики IRF5305
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 55 V
Id - Continuous Drain Current
- 31 A
Rds On - Drain-Source Resistance
60 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 4 V
Qg - Gate Charge
42 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
63 ns
Forward Transconductance - Min
8 S
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
110 W
Rise Time
66 ns
Factory Pack Quantity
1100
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
39 ns
Typical Turn-On Delay Time
14 ns
Width
4.4 mm
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
94950
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 37.40RUB руб. Купить
Доступное количество: 163791 шт.
IRF5305%40INFIN