IRF4905S

Купить со склада от 43,10 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF4905S@INFIN PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRF4905S фото 1 IRF4905S фото 1
IRF4905S фото 2 IRF4905S фото 2
IRF4905S фото 3 IRF4905S фото 3
IRF4905S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF4905S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 55 V
Id - Continuous Drain Current
- 74 A
Rds On - Drain-Source Resistance
20 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2 V to - 4 V
Qg - Gate Charge
180 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single Dual Drain
Fall Time
64 ns
Forward Transconductance - Min
19 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
200 W
Rise Time
99 ns
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 P-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
51 ns
Typical Turn-On Delay Time
20 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-27 11:00:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94938 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 43.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 313797 шт.

IRF4905S%40INFIN