Товаров: 5 830 975 от 3976
изготовителей. Прайс обновлен: 2023-12-09 04:31
IRF3808S
Купить со склада от 230,00 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 75А; Idm: 550А; 200Вт; D2PAK
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
1.7167 грамм
Анализ рынка IRF3808S@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
105
от 105
456,00 p
Склад
1-2
5557
от 1000
256,00 p
Склад
27
3200
от 2400
234,00 p
Склад
27
5286
от 1000
273,00 p
Склад
27
1600
от 1600
260,00 p
Склад
1-2
5557
от 1000
256,00 p
Технические характеристики IRF3808S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
75 V
Id - Continuous Drain Current
106 A
Rds On - Drain-Source Resistance
7 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Qg - Gate Charge
220 nC
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Packaging
Reel
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Transistor Type
1 N-Channel
Width
6.22 mm
Brand
Infineon Technologies
Forward Transconductance - Min
100 S
Fall Time
120 ns
Pd - Power Dissipation
200 W
Rise Time
140 ns
Factory Pack Quantity
800
Part # Aliases
SP001559612
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 03-12-2023
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
94931
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 230.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 42229 шт.
IRF3808S%40INFIN