IRF3808S

Купить со склада от 75,50 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3808S@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2 грамм
IRF3808S фото 1 IRF3808S фото 1
IRF3808S фото 2 IRF3808S фото 2
IRF3808S фото 3 IRF3808S фото 3
IRF3808S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF3808S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
75 V
Id - Continuous Drain Current
106 A
Rds On - Drain-Source Resistance
7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Qg - Gate Charge
150 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single Quint Source
Fall Time
120 ns
Forward Transconductance - Min
100 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
200 W
Rise Time
140 ns
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
68 ns
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:54
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94931 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 75.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 3825 шт.

IRF3808S%40INFIN