IRF3710

Купить со склада от 20,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3710@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRF3710 фото 1 IRF3710 фото 1
IRF3710 фото 2 IRF3710 фото 2
IRF3710 фото 3 IRF3710 фото 3
IRF3710
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF3710
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
3130 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
57 A
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Gate Charge, Total
34 nC
Height
16.51 mm
Length
10.67 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
200 W
Resistance, Drain to Source On
23 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
45 ns
Time, Turn-On Delay
12 ns
Transconductance, Forward
32 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 130 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.2 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
± 20 V
Width
4.83 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94923 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 20.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 207988 шт.

IRF3710%40INFIN