IRF3709S

Купить со склада от 41,60 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3709S@INFIN PDF даташит
IRF3709S фото 1 IRF3709S фото 1
IRF3709S фото 2 IRF3709S фото 2
IRF3709S фото 3 IRF3709S фото 3
IRF3709S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF3709S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 2017-07-23 07:30:54
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94922 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 41.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 77221 шт.

IRF3709S%40INFIN