IRF3315

Купить со склада от 36,10 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3315@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRF3315 фото 1 IRF3315 фото 1
IRF3315 фото 2 IRF3315 фото 2
IRF3315 фото 3 IRF3315 фото 3
IRF3315
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF3315
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
17 S
Height
16.51 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Resistance
0.07 Ω
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Maximum Gate Source Voltage
± 20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
94 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1300 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
9.6 ns
Typical TurnOff Delay Time
49 ns
Width
4.83 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94901 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 36.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 23355 шт.

IRF3315%40INFIN